将导电和储能材料有效地结合到 3D 多孔纺织品中在开发和设计高性能储能设备方面发挥着关键作用。在这里，通过受控的的纤维型纺织赝电容器电极。首先，将溴化四辛基铵稳定的硫化铜纳米粒子（TOABr-CuS NPs）均匀地组装到棉纺织品上。这种方法将绝缘纺织品转化为导电纺织品，保留了具有极大表面积的固有多孔结构。为了制备具有类金属导电性的纺织品集电器，将 Ni 额外电镀到 CuS NP 组装的纺织品上（CQ9电子 CQ9传奇电子即，Ni-EPT)。此外，随后将赝电容NiCo 层状双氢氧化物 (LDH) 层电镀到用于阴极的 Ni-EPT 上。形成的 NiCo-LDH 电镀纺织品（即 NiCo-EPT）表现出 12.2 F cm-2的高面积电容（在 10 mA cm -2下）、良好的倍率性能和出色的循环稳定性。特别是，NiCo-EPT 的面积容量可以通过随后的堆叠进一步增加。3 层 NiCo-EPT 提供 28.8 F cm -2（在 30 mA cm -2时）的空前高的面电容，优于迄今为止报道的基于纺织品的赝电容器电极。

　　通过硫属化物 NP 组装诱导电镀工艺制备 NiCo-EPT 作为赝电容器电极的示意图。

　　a) TOABr 配体的分子结构，以及直径约为 8 nm 的 TOABr-CuS NPs 的 TEM 图像。TEM 图像中的插图显示了 ≈2.7 Å 的晶格间距 ( d )，对应于 CuS 的 (006) 平面。b) 涂覆在石英玻璃上的 (TOABr-CuS NP/Cys) n多层膜的紫外-可见吸收光谱作为双层数 ( n ) 的函数。插图显示了在 200 nm 波长处的吸光度，表明多层的线性生长。c) (TOABr-CuS NP/Cys) n多层膜的频率（-Δ F，左轴）和质量变化（Δ m ，右轴）随着从 QCM 分析获得的双层数增加。d) (TOABr-CuS NP/Cys) n的厚度变化Si晶片上的多层作为双层数（n）的函数，从横截面FE-SEM图像（插图）测量。e) 硅晶片上 (TOABr-CuS NP/Cys) n多层的薄层电阻（左轴）和电导率（右轴）与双层数（n）的函数关系。

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